九乡新闻网魔兽世界电影洛萨:F2812烧写个人总结----增加程序
来源：百度文库 编辑：九乡新闻网 时间：2024/07/14 12:16:41
在仿真器中将程序调试好，将程序烧入flash之前，需要做以下工作：
一、硬件上确保DSP的XMP/MC管教接地，且SCIATXDA脚接高电平；
XMP/MC接地为低电平：表示微机算计模式，那么0x3F FFC0指向的是2812的片内FLASH的地址。上电复位后，复位向量是指向片内Flash的0x3F FFC0。2812有一块flash地址从0x3F F000-0x3F FFFF在出厂时已经固化好了引导程序。在0x3F FFC0处是一条跳转指令，跳到iniboot（地址0x3F FB50）函数处执行iniboot代码，该iniboot代码就是ti在dsp出厂时固化在flash中的。Iniboot函数判断几个GPIO引脚来判断使用哪一种引导模式，比如flash boot模式，检测SPICLKA，SCITXA，GPIO34的电平，当都为高电平时表明是片内flash boot模式，那么initboot执行完后跳转到0x3F 7FF6处，此位置刚好在128位（CSM）密码位置之前，你要在0x3F 7FF6处放置跳转指令(codestart:>BEGIN,PAGE=0 )，以跳转到你要去的地方。
BEGIN : origin = 0x3F7FF6, length = 0x000002
/* Part of FLASHA. Used for "boot to Flash" bootloader mode. */
codestart : > BEGIN PAGE = 0
SCIATXDA脚接高电平：是为那选择2812以FLASH作为引导模式
我们在这里可以看到Flash启动模式，需要将GPIOF4，设置为高电平，其他三个引脚状态任意。其配置如下：
二、向工程中添加F2812_EzDSP_FLASH_lnk.cmd文件，它是用于flash烧写的CMD文件，用于替换原有的用于RAM中调试的F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件。
三、添加DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd文件，用于将DSP28头文件中的外设结构与存储器地址对应起来；
四、添加DSP281x_CodeStartBranch.asm文件，此文件负责上电后程序执行顺序跳转的；
五、main函数
六、编写定义Initflash()函数，并且添加语句#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs")，改语句功能是将InitFlash函数写入RAM中，因为InitFlash经常被调用，这样省得每次都从flash中写入RAM。如果还有经常反复调用的函数，也可自行添加类似语句，需注意#pragma CODE_SECTION (InitFlash, "ramfuncs") 应该写在函数Initflash()所在的C文件中，并且在函数之前声明；
七、在main函数中写以下语句，功能是从flash中将程序复制到RAM中，
memcpy(&ramfuncs_runstart,
&ramfuncs_loadstart,
&ramfuncs_loadend - &ramfuncs_loadstart);
注意ramfuncs_runstart、ramfuncs_loadstart、ramfuncs_loadend三个变量一定要和F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件中ramfuncs处的三个变量完全一致，并且这三个变量要进行全局变量申明
八、main函数中，在memcpy之后，执行Initflash()，接着再写别的功能函数。
这些工作都做好了的话，至于在CCS中具体的烧写操作，就很简单了，有很多资料可以参考，注意别误操作把flash锁死就行。呵呵，说完了，希望能对别人有用。
PS：我用的3.3，所以步骤1不用
2. 下载烧写FLASH配套CMD文件、LIB文件以及起始代码asm文件。
CMD文件名称：DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd
CMD文件名称：F2812.cmd
LIB文件名称：rts2800_ml.lib
ASM文件名称：DSP281x_CodeStartBranch.asm
另外在RAM调试时用以下两个文件：
F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd
DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd
PS：这些文件可在sprc097压缩文件里面找到
3. 配置C文件
配置好主程序的C文件，才能将FLASH成功烧录，并且将FLASH中的文件拷贝到RAM中运行。
关于C文件的配置。
首先在F2812.CMD文件中，我们可以看到有关于加载FLASH到RAM的内容：
ramfuncs : LOAD = FLASHD,
RUN = RAML0,
LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),
LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),
RUN_START(_RamfuncsRunStart),
PAGE = 0
以及在C文件中调用FLASH 到RAM的函数memcpy，将它放在系统初始化（InitSystem();）之后即可：
InitSystem();
memcpy(&RamfuncsRunStart,
&RamfuncsLoadStart,
&RamfuncsLoadEnd - &RamfuncsLoadStart);
Initflash();
所以，我们需要定义所用变量：
extern Uint16 RamfuncsLoadStart;
extern Uint16 RamfuncsLoadEnd;
extern Uint16 RamfuncsRunStart;
我的这些定义都是：DSP281x_GlobalPrototypes.h 当中,当然，也可以放在其他系统初始化的地方。
Memcpy这个函数应该是rts2800_ml.lib库文件中自带的，不需要我们定义。
关于FLASH的初始化配置Initflash();
我把它放置在Memcpy函数之后。
关于ramfuncs，则在系统初始化中定义即可。如:sysctrl.c中
#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs");
另外，许多朋友没有注意需要定义自己其他子程序，导致最终运行的主程序还是在FLASH中，比如你需要运行的子程序ABC，则需要定义#pragma CODE_SECTION(ABC, "ramfuncs"）
【原文】
一、硬件上确保DSP的XMP/MC管教接地，且SCIATXDA脚接高电平；
XMP/MC接地为低电平：表示微机算计模式，那么0x3F FFC0指向的是2812的片内FLASH的地址。上电复位后，复位向量是指向片内Flash的0x3F FFC0。2812有一块flash地址从0x3F F000-0x3F FFFF在出厂时已经固化好了引导程序。在0x3F FFC0处是一条跳转指令，跳到iniboot（地址0x3F FB50）函数处执行iniboot代码，该iniboot代码就是ti在dsp出厂时固化在flash中的。Iniboot函数判断几个GPIO引脚来判断使用哪一种引导模式，比如flash boot模式，检测SPICLKA，SCITXA，GPIO34的电平，当都为高电平时表明是片内flash boot模式，那么initboot执行完后跳转到0x3F 7FF6处，此位置刚好在128位（CSM）密码位置之前，你要在0x3F 7FF6处放置跳转指令(codestart:>BEGIN,PAGE=0 )，以跳转到你要去的地方。
BEGIN : origin = 0x3F7FF6, length = 0x000002
/* Part of FLASHA. Used for "boot to Flash" bootloader mode. */
codestart : > BEGIN PAGE = 0
SCIATXDA脚接高电平：是为那选择2812以FLASH作为引导模式
我们在这里可以看到Flash启动模式，需要将GPIOF4，设置为高电平，其他三个引脚状态任意。其配置如下：
二、向工程中添加F2812_EzDSP_FLASH_lnk.cmd文件，它是用于flash烧写的CMD文件，用于替换原有的用于RAM中调试的F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件。
三、添加DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd文件，用于将DSP28头文件中的外设结构与存储器地址对应起来；
四、添加DSP281x_CodeStartBranch.asm文件，此文件负责上电后程序执行顺序跳转的；
五、main函数
六、编写定义Initflash()函数，并且添加语句#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs")，改语句功能是将InitFlash函数写入RAM中，因为InitFlash经常被调用，这样省得每次都从flash中写入RAM。如果还有经常反复调用的函数，也可自行添加类似语句，需注意#pragma CODE_SECTION (InitFlash, "ramfuncs") 应该写在函数Initflash()所在的C文件中，并且在函数之前声明；
七、在main函数中写以下语句，功能是从flash中将程序复制到RAM中，
memcpy(&ramfuncs_runstart,
&ramfuncs_loadstart,
&ramfuncs_loadend - &ramfuncs_loadstart);
注意ramfuncs_runstart、ramfuncs_loadstart、ramfuncs_loadend三个变量一定要和F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件中ramfuncs处的三个变量完全一致，并且这三个变量要进行全局变量申明
八、main函数中，在memcpy之后，执行Initflash()，接着再写别的功能函数。
这些工作都做好了的话，至于在CCS中具体的烧写操作，就很简单了，有很多资料可以参考，注意别误操作把flash锁死就行。呵呵，说完了，希望能对别人有用。
PS：我用的3.3，所以步骤1不用
2. 下载烧写FLASH配套CMD文件、LIB文件以及起始代码asm文件。
CMD文件名称：DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd
CMD文件名称：F2812.cmd
LIB文件名称：rts2800_ml.lib
ASM文件名称：DSP281x_CodeStartBranch.asm
另外在RAM调试时用以下两个文件：
F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd
DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd
PS：这些文件可在sprc097压缩文件里面找到
3. 配置C文件
配置好主程序的C文件，才能将FLASH成功烧录，并且将FLASH中的文件拷贝到RAM中运行。
关于C文件的配置。
首先在F2812.CMD文件中，我们可以看到有关于加载FLASH到RAM的内容：
ramfuncs : LOAD = FLASHD,
RUN = RAML0,
LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),
LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),
RUN_START(_RamfuncsRunStart),
PAGE = 0
以及在C文件中调用FLASH 到RAM的函数memcpy，将它放在系统初始化（InitSystem();）之后即可：
InitSystem();
memcpy(&RamfuncsRunStart,
&RamfuncsLoadStart,
&RamfuncsLoadEnd - &RamfuncsLoadStart);
Initflash();
所以，我们需要定义所用变量：
extern Uint16 RamfuncsLoadStart;
extern Uint16 RamfuncsLoadEnd;
extern Uint16 RamfuncsRunStart;
我的这些定义都是：DSP281x_GlobalPrototypes.h 当中,当然，也可以放在其他系统初始化的地方。
Memcpy这个函数应该是rts2800_ml.lib库文件中自带的，不需要我们定义。
关于FLASH的初始化配置Initflash();
我把它放置在Memcpy函数之后。
关于ramfuncs，则在系统初始化中定义即可。如:sysctrl.c中
#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs");
另外，许多朋友没有注意需要定义自己其他子程序，导致最终运行的主程序还是在FLASH中，比如你需要运行的子程序ABC，则需要定义#pragma CODE_SECTION(ABC, "ramfuncs"）
【原文】